Samsung duplica su eficiencia en sus nuevos chips de 3 nanómetros

Samsung duplica su eficiencia en sus nuevos chips de 3 nanómetros
Escrito por Pablo el 30 Jun 2022 en Tecnología

Aunque todavía acaban de comenzar con la fabricación, Samsung ya lo ha anunciado por todo lo alto, comienzan a generar chips de tan solo 3 nanómetros que prometen ser mucho más eficientes gracias a la arquitectura de nodos GAA (Gate-All-Around) y a la tecnología MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET)

Esta primera generación de procesadores reducirán el consumo hasta un 45% y mejorarán el rendimiento en un 23% y evidentemente, reducirán su área en un 16%. Pero no van a conformarse con esto, ya han comunicado a la prensa que irán más allá y que la segunda generación consumirá un 50% menos, mejorando el rendimiento un 30% y su área un 35%.

¿Cómo ha conseguido realizar esto Samsung?

Pues aunque parezca evidente, no solo ha hecho los transistores más pequeños, sino que ha cambiado la estructura interna de los transistores consiguiendo más corriente a través de la unión entre la puerta y el silicio, a esto se le llama canal.

Nuevo canal de Samsung

 

Como podemos observar en la fotografía anterior, la anterior arquitectura usaba monohilos apilados de manera vertical, con la nueva tecnología de Samsung en lugar de hilos se utilizan nanoplacas más anchas que permiten una mayor cantidad de corriente en una similar área horizontal (dentro de la zona lila).

Además, esta nueva tecnología MBCFET creada por Samsung requiere un menor voltaje por operaciones y por si fuera poco, es personalizable el ancho del canal en función del uso que se le vaya a dar.